Epitaksialna plast
-
200 mm 8-palčni GaN na substratu iz safirne epi-plasti
-
GaN na steklu 4-palčni: Prilagodljive možnosti stekla, vključno z JGS1, JGS2, BF33 in navadnim kremenom
-
AlN-na-NPSS rezini: Visokozmogljiva plast aluminijevega nitrida na nepoliranem safirnem substratu za visokotemperaturne, visokozmogljive in RF aplikacije
-
Prilagojene epitaksialne rezine GaN na SiC (100 mm, 150 mm) – več možnosti SiC substrata (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-na-diamantni rezini 4 palce 6 palcev Skupna debelina epi (mikronov) 0,6 ~ 2,5 ali prilagojeno za visokofrekvenčne aplikacije
-
GaAs visokozmogljiv epitaksialni substrat iz galijevega arzenida, laserska valovna dolžina 905 nm za lasersko medicinsko zdravljenje
-
Za LiDAR se lahko uporabljajo fotodetektorski nizi PD Array iz epitaksialne rezine InGaAs
-
2-palčni, 3-palčni, 4-palčni InP epitaksialni substrat rezin APD detektor svetlobe za optične komunikacije ali LiDAR
-
Trislojna silicijeva podlaga SOI rezina iz silicija na izolatorju za mikroelektroniko in radiofrekvenco
-
SOI izolator na silicijevih 8-palčnih in 6-palčnih SOI (silicij na izolatorju) rezinah
-
6-palčna SiC epitaksijalna rezina N/P tipa sprejema prilagojene
-
4-palčna SiC Epi rezina za MOS ali SBD