26. je Power Cube Semi objavil uspešen razvoj prvega 2300 V SiC (silicijev karbid) polprevodnika MOSFET v Južni Koreji.
V primerjavi z obstoječimi polprevodniki na osnovi Si (silicija) lahko SiC (silicijev karbid) prenese višje napetosti, zato ga pozdravljajo kot napravo naslednje generacije, ki vodi v prihodnost močnostnih polprevodnikov.Služi kot ključna komponenta, ki je potrebna za uvedbo najsodobnejših tehnologij, kot sta širjenje električnih vozil in širitev podatkovnih centrov, ki jih poganja umetna inteligenca.
Power Cube Semi je brezhibno podjetje, ki razvija močnostne polprevodniške naprave v treh glavnih kategorijah: SiC (silicijev karbid), Si (silicij) in Ga2O3 (galijev oksid).Pred kratkim je podjetje uporabilo in prodalo visoko zmogljive diode s Schottkyjevo pregrado (SBD) globalnemu podjetju za električna vozila na Kitajskem, s čimer je pridobilo priznanje za svojo zasnovo in tehnologijo polprevodnikov.
Izdaja 2300 V SiC MOSFET je omembe vredna kot prvi tak razvojni primer v Južni Koreji.Infineon, globalno podjetje za močnostne polprevodnike s sedežem v Nemčiji, je prav tako napovedalo lansiranje svojega izdelka 2000 V marca, vendar brez linije izdelkov 2300 V.
Infineonov 2000 V CoolSiC MOSFET, ki uporablja paket TO-247PLUS-4-HCC, izpolnjuje zahteve po povečani gostoti moči med oblikovalci, kar zagotavlja zanesljivost sistema tudi pod strogimi pogoji visoke napetosti in preklopne frekvence.
CoolSiC MOSFET ponuja višjo enosmerno napetost povezave, kar omogoča povečanje moči brez povečanja toka.Je prva diskretna naprava iz silicijevega karbida na trgu s prebojno napetostjo 2000 V, ki uporablja paket TO-247PLUS-4-HCC s plazilno potjo 14 mm in razdaljo 5,4 mm.Te naprave imajo nizke izgube pri preklapljanju in so primerne za aplikacije, kot so sončni pretvorniki, sistemi za shranjevanje energije in polnjenje električnih vozil.
Serija izdelkov CoolSiC MOSFET 2000V je primerna za visokonapetostne DC vodilne sisteme do 1500V DC.V primerjavi s 1700 V SiC MOSFET ta naprava zagotavlja zadostno prenapetostno rezervo za 1500 V DC sisteme.CoolSiC MOSFET ponuja mejno napetost 4,5 V in je opremljen z robustnimi diodami za težko komutacijo.S povezovalno tehnologijo .XT te komponente nudijo odlično toplotno zmogljivost in močno odpornost na vlago.
Poleg MOSFET-a 2000 V CoolSiC bo Infineon v tretjem četrtletju 2024 oziroma v zadnjem četrtletju 2024 kmalu lansiral komplementarne diode CoolSiC, zapakirane v ohišja s 4 nožicami TO-247PLUS in TO-247-2.Te diode so še posebej primerne za solarne aplikacije.Na voljo so tudi ustrezne kombinacije izdelkov za gonilnik vrat.
Serija izdelkov CoolSiC MOSFET 2000V je zdaj na voljo na trgu.Poleg tega Infineon ponuja ustrezne ocenjevalne plošče: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Razvijalci lahko uporabljajo to ploščo kot natančno splošno testno platformo za oceno vseh CoolSiC MOSFET-ov in diod z nazivno napetostjo 2000 V, kot tudi serije izdelkov EiceDRIVER kompaktnega enokanalnega gonilnika z izolacijskimi vrati 1ED31xx prek delovanja z dvojnim impulzom ali neprekinjenega PWM.
Gung Shin-soo, glavni tehnološki direktor podjetja Power Cube Semi, je izjavil: "Naše obstoječe izkušnje pri razvoju in množični proizvodnji 1700 V SiC MOSFET-ov smo lahko razširili na 2300 V.
Čas objave: Apr-08-2024