V zadnjih letih, z nenehnim prodiranjem v nadaljnje aplikacije, kot so nova energetska vozila, proizvodnja fotovoltaike in shranjevanje energije, ima SiC kot nov polprevodniški material pomembno vlogo na teh področjih. Glede na poročilo Yole Intelligence o trgu Power SiC, objavljeno leta 2023, se napoveduje, da bo do leta 2028 svetovni trg naprav Power SiC dosegel skoraj 9 milijard dolarjev, kar predstavlja približno 31-odstotno rast v primerjavi z letom 2022. Skupna velikost trga polprevodnikov SiC kaže stalen trend rasti.
Med številnimi tržnimi aplikacijami prevladujejo vozila na novo energijo s 70-odstotnim tržnim deležem. Trenutno je Kitajska postala največji svetovni proizvajalec, potrošnik in izvoznik vozil na novo energijo. Po podatkih "Nikkei Asian Review" je kitajski izvoz avtomobilov leta 2023, predvsem zaradi vozil na novo energijo, prvič presegel japonskega, s čimer je Kitajska postala največji svetovni izvoznik avtomobilov.
Kitajska industrija SiC se sooča z naraščajočim povpraševanjem na trgu in odpira ključno razvojno priložnost.
Od objave "Trinajstega petletnega načrta" za nacionalne inovacije na področju znanosti in tehnologije s strani državnega sveta julija 2016 je razvoj polprevodniških čipov tretje generacije deležen velike pozornosti vlade in pozitivnih odzivov ter obsežne podpore v različnih regijah. Ministrstvo za industrijo in informacijsko tehnologijo (MIIT) je do avgusta 2021 v "Štirinajsti petletni načrt" za razvoj industrijskih znanosti in tehnoloških inovacij vključilo polprevodnike tretje generacije, kar je dalo dodaten zagon rasti domačega trga SiC.
Zaradi povpraševanja na trgu in politik se domači projekti v industriji SiC pojavljajo hitro kot gobe po dežju, kar predstavlja situacijo širokega razvoja. Po naših nepopolnih statističnih podatkih so bili gradbeni projekti, povezani s SiC, doslej izvedeni v vsaj 17 mestih. Med njimi so Jiangsu, Šanghaj, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian in druge regije postale pomembna središča za razvoj industrije SiC. Zlasti z začetkom proizvodnje novega projekta ReTopTech bo še dodatno okrepil celotno domačo verigo polprevodniške industrije tretje generacije, zlasti v Guangdongu.
Naslednja postavitev za ReTopTech je 8-palčni SiC substrat. Čeprav 6-palčni SiC substrati trenutno prevladujejo na trgu, se trend razvoja industrije zaradi zmanjševanja stroškov postopoma preusmerja k 8-palčnim substratom. Po napovedih GTAT naj bi se stroški 8-palčnih substratov v primerjavi s 6-palčnimi substrati znižali za 20 % do 35 %. Trenutno so znani proizvajalci SiC, tako domači kot mednarodni, začeli postopoma prehajati na 8-palčne substrate.
V tem kontekstu ReTopTech načrtuje, da bo v prihodnosti ustanovil center za raziskave in razvoj tehnologije rasti velikih kristalov in epitaksije. Podjetje bo sodelovalo s ključnimi lokalnimi laboratoriji pri sodelovanju pri izmenjavi instrumentov in opreme ter raziskavah materialov. Poleg tega ReTopTech načrtuje okrepitev inovacijskega sodelovanja na področju tehnologije obdelave kristalov z glavnimi proizvajalci opreme in sodelovanje pri skupnih inovacijah z vodilnimi podjetji v prodajni verigi na področju raziskav in razvoja avtomobilskih naprav in modulov. Namen teh ukrepov je izboljšati raven kitajskih raziskav in razvoja ter industrializacije proizvodne tehnologije na področju 8-palčnih substratnih platform.
Polprevodniki tretje generacije, katerih glavni predstavnik je SiC, so splošno priznani kot eno najbolj obetavnih podpodročij v celotni industriji polprevodnikov. Kitajska ima v polprevodnikih tretje generacije prednost v celotni industrijski verigi, ki zajema opremo, materiale, proizvodnjo in uporabo, s potencialom za vzpostavitev globalne konkurenčnosti.
Čas objave: 8. april 2024