V zadnjih letih z nenehnim prodorom nadaljnjih aplikacij, kot so nova energetska vozila, fotonapetostna proizvodnja energije in shranjevanje energije, ima SiC kot nov polprevodniški material pomembno vlogo na teh področjih.V skladu s tržnim poročilom Power SiC podjetja Yole Intelligence, objavljenim leta 2023, se predvideva, da bo do leta 2028 obseg svetovnega trga močnih SiC naprav dosegel skoraj 9 milijard USD, kar predstavlja približno 31-odstotno rast v primerjavi z letom 2022. Skupna velikost trga SiC polprevodnikov kaže stalen trend širitve.
Med številnimi tržnimi aplikacijami prevladujejo nova energetska vozila s 70-odstotnim tržnim deležem.Trenutno je Kitajska postala največji svetovni proizvajalec, potrošnik in izvoznik vozil z novo energijo.Po podatkih "Nikkei Asian Review" je kitajski avtomobilski izvoz leta 2023, ki ga poganjajo nova energetska vozila, prvič presegel Japonsko, s čimer je Kitajska postala največji svetovni izvoznik avtomobilov.
Soočena s cvetočim tržnim povpraševanjem se kitajska industrija SiC odpira kritično razvojno priložnost.
Od izdaje "trinajstega petletnega načrta" za nacionalne znanstvene in tehnološke inovacije s strani državnega sveta julija 2016 je bil razvoj polprevodniških čipov tretje generacije deležen velike pozornosti vlade in je prejel pozitivne odzive in obsežno podporo v različne regije.Do avgusta 2021 je Ministrstvo za industrijo in informacijsko tehnologijo (MIIT) dodatno vključilo polprevodnike tretje generacije v "štirinajsti petletni načrt" za razvoj industrijskih znanosti in tehnoloških inovacij, s čimer je dalo nadaljnji zagon rasti domačega trga SiC.
Zaradi tržnega povpraševanja in politik se projekti domače industrije SiC hitro pojavljajo kot gobe po dežju in predstavljajo razmere širokega razvoja.Po naših nepopolnih statističnih podatkih so bili do zdaj gradbeni projekti, povezani s SiC, izvedeni v vsaj 17 mestih.Med njimi so Jiangsu, Šanghaj, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian in druge regije postale pomembna središča za razvoj industrije SiC.Zlasti z novim projektom ReTopTech, ki je začel proizvodnjo, bo dodatno okrepil celotno domačo verigo polprevodniške industrije tretje generacije, zlasti v Guangdongu.
Naslednja postavitev za ReTopTech je 8-palčni substrat SiC.Čeprav 6-palčni substrati SiC trenutno prevladujejo na trgu, se razvojni trend industrije postopoma premika proti 8-palčnim substratom zaradi znižanja stroškov.Po predvidevanjih GTAT naj bi se stroški 8-palčnih substratov znižali za 20 % do 35 % v primerjavi s 6-palčnimi substrati.Trenutno so znani proizvajalci SiC, kot so Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun in Xilinx Integration, tako domači kot mednarodni, začeli postopno prehajati na 8-palčne substrate.
V tem kontekstu ReTopTech v prihodnosti načrtuje ustanovitev Centra za raziskave in razvoj tehnologije velikih kristalov in epitaksije.Podjetje bo sodelovalo z lokalnimi ključnimi laboratoriji, da bi sodelovalo pri souporabi instrumentov in opreme ter raziskavah materialov.Poleg tega namerava ReTopTech okrepiti inovacijsko sodelovanje na področju tehnologije obdelave kristalov z glavnimi proizvajalci opreme in se vključiti v skupne inovacije z vodilnimi podjetji na nižji stopnji pri raziskavah in razvoju avtomobilskih naprav in modulov.Namen teh ukrepov je povečati kitajsko raven raziskav in razvoja ter industrializacije proizvodne tehnologije na področju 8-palčnih substratnih platform.
Polprevodniki tretje generacije, s SiC kot glavnim predstavnikom, so splošno priznani kot eno najbolj obetavnih podpolj v celotni industriji polprevodnikov.Kitajska ima celotno prednost industrijske verige pri polprevodnikih tretje generacije, ki zajema opremo, materiale, proizvodnjo in aplikacije, s potencialom za vzpostavitev globalne konkurenčnosti.
Čas objave: Apr-08-2024