2-palčne rezine silicijevega karbida, 6H ali 4H tipa N ali pol-izolacijske SiC podlage

4H SiC rezina tipa N
Premer: 2 palca 50,8 mm | 4 palca 100 mm | 6 palcev 150 mm
Orientacija: izven osi 4,0˚ proti <1120> ± 0,5˚
Upornost: < 0,1 ohm.cm
Hrapavost: Si-plošča CMP Ra <0,5 nm, C-plošča optično poliranje Ra <1 nm

4H SiC rezina pol-izolacijska
Premer: 2 palca 50,8 mm | 4 palca 100 mm | 6 palcev 150 mm
Orientacija: na osi {0001} ± 0,25˚
Upornost: >1E5 ohm.cm
Hrapavost: Si-plošča CMP Ra <0,5 nm, C-plošča optično poliranje Ra <1 nm

1. 5G infrastruktura -- komunikacijsko napajanje.
Komunikacijsko napajanje je energetska osnova za komunikacijo med strežnikom in baznimi postajami. Zagotavlja električno energijo za različno prenosno opremo, da se zagotovi normalno delovanje komunikacijskega sistema.

2. Polnilni kup za nova energijska vozila -- napajalni modul polnilnega kupa.
Visoko učinkovitost in veliko moč polnilnega modula je mogoče doseči z uporabo silicijevega karbida v polnilnem modulu, da se izboljša hitrost polnjenja in zmanjšajo stroški polnjenja.

3. Velik podatkovni center, industrijski internet -- napajanje strežnika.
Napajalnik strežnika je strežniška energijska knjižnica. Strežnik zagotavlja napajanje za normalno delovanje strežniškega sistema. Uporaba silicijev-karbidnih napajalnih komponent v napajalniku strežnika lahko izboljša gostoto moči in učinkovitost napajanja strežnika, zmanjša prostornino podatkovnega centra na splošno, zmanjša skupne stroške gradnje podatkovnega centra in doseže večjo okoljsko učinkovitost.

4. Uhv - Uporaba fleksibilnih prenosnih enosmernih odklopnikov.

5. Medkrajevni hitri železniški promet in medkrajevni železniški tranzit -- vlečni pretvorniki, energetski elektronski transformatorji, pomožni pretvorniki, pomožni napajalniki.