50,8 mm/100 mm šablona AlN na šabloni NPSS/FSS AlN na safirju
AlN-na-safirju
AlN-On-Sapphire se lahko uporablja za izdelavo različnih fotoelektričnih naprav, kot so:
1. LED čipi: LED čipi so običajno narejeni iz folij iz aluminijevega nitrida in drugih materialov.Učinkovitost in stabilnost LED je mogoče izboljšati z uporabo rezin AlN-On-Sapphire kot substrata LED čipov.
2. Laserji: AlN-on-Sapphire rezine se lahko uporabljajo tudi kot substrati za laserje, ki se pogosto uporabljajo v medicini, komunikacijah in obdelavi materialov.
3. Sončne celice: proizvodnja sončnih celic zahteva uporabo materialov, kot je aluminijev nitrid.AlN-On-Sapphire kot substrat lahko izboljša učinkovitost in življenjsko dobo sončnih celic.
4. Druge optoelektronske naprave: AlN-on-Sapphire rezine se lahko uporabljajo tudi za izdelavo fotodetektorjev, optoelektronskih naprav in drugih optoelektronskih naprav.
Skratka, rezine AlN-on-Sapphire se pogosto uporabljajo na optoelektričnem področju zaradi svoje visoke toplotne prevodnosti, visoke kemične stabilnosti, majhne izgube in odličnih optičnih lastnosti.
50,8 mm/100 mm šablona AlN na NPSS/FSS
| Postavka | Opombe | |||
| Opis | Predloga AlN-on-NPSS | Predloga AlN-on-FSS | ||
| Premer rezin | 50,8 mm, 100 mm | |||
| Substrat | c-ravnina NPSS | Planarni safir s ravnino c (FSS) | ||
| Debelina podlage | 50,8 mm, 100 mm ravninski planarni safir (FSS) 100 mm: 650 um | |||
| Debelina episloja AIN | 3~4 um (cilj: 3,3 um) | |||
| Prevodnost | Izolacijski | |||
| Površina | Kot zrasla | |||
| RMS<1 nm | RMS<2nm | |||
| Zadnja stran | Zmleto | |||
| FWHM(002)XRC | < 150 ločnih sekund | < 150 ločnih sekund | ||
| FWHM(102)XRC | < 300 ločnih sekund | < 300 ločnih sekund | ||
| Izključitev robov | < 2 mm | < 3 mm | ||
| Primarna ravna orientacija | a-ravnina +0,1° | |||
| Primarna ravna dolžina | 50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm | |||
| Paket | Pakirano v transportni škatli ali enojni posodi za rezine | |||
Podroben diagram
