150 mm 6 palcev 0,7 mm 0,5 mm nosilec substrata iz safirne rezine C-ravnina SSP/DSP

Kratek opis:

Vse zgoraj navedeno so pravilni opisi safirnih kristalov.Odlična zmogljivost safirnega stekla omogoča njegovo široko uporabo na vrhunskih tehničnih področjih.S hitrim razvojem industrije LED se povečuje tudi povpraševanje po materialih iz safirnih kristalov.

Pošljite nam e-pošto

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Aplikacije

Aplikacije za 6-palčne safirne rezine vključujejo:

1. Proizvodnja LED: safirna rezina se lahko uporablja kot podlaga za LED čipe, njegova trdota in toplotna prevodnost pa lahko izboljšata stabilnost in življenjsko dobo LED čipov.

2. Laserska proizvodnja: Safirno rezino lahko uporabite tudi kot substrat laserja, da izboljšate delovanje laserja in podaljšate življenjsko dobo.

3. Proizvodnja polprevodnikov: Safirne rezine se pogosto uporabljajo v proizvodnji elektronskih in optoelektronskih naprav, vključno z optično sintezo, sončnimi celicami, visokofrekvenčnimi elektronskimi napravami itd.

4. Druge aplikacije: Safirna rezina se lahko uporablja tudi za izdelavo zaslonov na dotik, optičnih naprav, tankoslojnih sončnih celic in drugih visokotehnoloških izdelkov.

Specifikacija

Material	Monokristal Al2O3 visoke čistosti, safirna rezina.
Dimenzija	150 mm +/- 0,05 mm, 6 palcev
Debelina	1300 +/- 25 um
Orientacija	C ravnina (0001) off M (1-100) ravnina 0,2 +/- 0,05 stopinj
Primarna ravna orientacija	Ravnina +/- 1 stopinja
Primarna ravna dolžina	47,5 mm +/- 1 mm
Variacija skupne debeline (TTV)	<20 um
Priklon	<25 um
Warp	<25 um
Koeficient toplotnega raztezanja	6,66 x 10-6 / °C vzporedno z osjo C, 5 x 10-6 /°C pravokotno na os C
Dielektrična trdnost	4,8 x 105 V/cm
Dielektrična konstanta	11,5 (1 MHz) vzdolž osi C, 9,3 (1 MHz) pravokotno na os C
Tangens dielektričnih izgub (ali disipacijski faktor)	manj kot 1 x 10-4
Toplotna prevodnost	40 W/(mK) pri 20 ℃
Poliranje	enostransko polirano (SSP) ali obojestransko polirano (DSP) Ra < 0,5 nm (z AFM).Hrbtna stran rezine SSP je bila fino zbrušena na Ra = 0,8 - 1,2 um.
Prepustnost	88 % +/-1 % pri 460 nm