GaAs laserska epitaksialna rezina 4 in 6 palcev VCSEL z navpično votlino površinske emisije laserske valovne dolžine 940 nm enojni spoj

GaAs laserska epitaksialna rezina 4-palčna 6-palčna laserska emisijska laserska valovna dolžina navpične votline 6-palčna VCSEL valovna dolžina 940 nm enojni spoj Predstavljena slika

Kratek opis:

Zasnova po naročilu stranke Gigabit Ethernet laserski nizi za visoko enakomerne 6-palčne rezine 850/940nm osrednja optična valovna dolžina oksid omejena ali s protonom implantirana digitalna podatkovna povezava VCSEL komunikacija, električne in optične lastnosti laserske miške nizka občutljivost na temperaturo. VCSEL-940 Single Junction je laser, ki oddaja površino z navpično votlino (VCSEL) z valovno dolžino emisije običajno okoli 940 nanometrov. Takšni laserji so običajno sestavljeni iz ene same kvantne vrtine in so sposobni zagotoviti učinkovito oddajanje svetlobe. Zaradi valovne dolžine 940 nanometrov je v infrardečem spektru primeren za različne aplikacije. V primerjavi z drugimi vrstami laserjev imajo VCsels večjo učinkovitost elektro-optične pretvorbe. Paket VCSEL je relativno majhen in enostaven za integracijo. Zaradi široke uporabe VCSEL-940 igra pomembno vlogo v sodobni tehnologiji.

Pošljite nam e-pošto

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Glavne značilnosti GaAs laserske epitaksialne plošče vključujejo

1. Struktura z enim spojem: Ta laser je običajno sestavljen iz ene same kvantne vrtine, ki lahko zagotovi učinkovito oddajanje svetlobe.
2. Valovna dolžina: Valovna dolžina 940 nm je v območju infrardečega spektra, primerna za različne aplikacije.
3. Visoka učinkovitost: V primerjavi z drugimi vrstami laserjev ima VCSEL visoko učinkovitost elektro-optične pretvorbe.
4. Kompaktnost: Paket VCSEL je relativno majhen in enostaven za integracijo.

5. Tok nizkega praga in visoka učinkovitost: Laserji z vkopano heterostrukturo kažejo izredno nizko gostoto praga toka laserja (npr. 4 mA/cm²) in visoko zunanjo diferencialno kvantno učinkovitost (npr. 36 %), z linearno izhodno močjo, ki presega 15 mW.
6. Stabilnost valovodnega načina: Zakopani heterostrukturni laser ima prednost stabilnosti valovodnega načina zaradi svojega valovodnega mehanizma z lomnim indeksom in ozke širine aktivnega traku (približno 2 μm).
7. Odlična učinkovitost fotoelektrične pretvorbe: z optimizacijo procesa epitaksialne rasti je mogoče doseči visoko notranjo kvantno učinkovitost in učinkovitost fotoelektrične pretvorbe za zmanjšanje notranjih izgub.
8. Visoka zanesljivost in življenjska doba: visokokakovostna tehnologija epitaksialne rasti lahko pripravi epitaksialne plošče z dobrim videzom površine in nizko gostoto napak, kar izboljša zanesljivost in življenjsko dobo izdelka.
9. Primerno za različne aplikacije: epitaksialna plošča z lasersko diodo na osnovi GAAS se pogosto uporablja v komunikaciji z optičnimi vlakni, industrijskih aplikacijah, infrardečih in fotodetektorjih ter na drugih področjih.

Glavni načini uporabe GaAs laserske epitaksialne plošče vključujejo

1. Optična komunikacija in podatkovna komunikacija: epitaksialne rezine GaAs se pogosto uporabljajo na področju optičnih komunikacij, zlasti v hitrih optičnih komunikacijskih sistemih, za proizvodnjo optoelektronskih naprav, kot so laserji in detektorji.

2. Industrijske aplikacije: GaAs laserske epitaksialne plošče imajo pomembno uporabo tudi v industrijskih aplikacijah, kot so laserska obdelava, merjenje in zaznavanje.

3. Potrošniška elektronika: V potrošniški elektroniki se epitaksialne rezine GaAs uporabljajo za izdelavo VCsels (laserji s površinsko sevanjem z navpično votlino), ki se pogosto uporabljajo v pametnih telefonih in drugi potrošniški elektroniki.

4. Rf aplikacije: GaAs materiali imajo pomembne prednosti na RF področju in se uporabljajo za izdelavo visoko zmogljivih RF naprav.

5. Laserji s kvantnimi pikami: laserji s kvantnimi pikami, ki temeljijo na GAAS, se pogosto uporabljajo v komunikaciji, medicini in vojski, zlasti v optičnem komunikacijskem pasu 1,31 µm.

6. Pasivno stikalo Q: absorber GaAs se uporablja za polprevodniške laserje z diodnim črpanjem s pasivnim stikalom Q, ki je primeren za mikro strojno obdelavo, določanje obsega in mikro kirurgijo.

Te aplikacije prikazujejo potencial GaAs laserskih epitaksialnih rezin v širokem spektru visokotehnoloških aplikacij.

XKH ponuja GaAs epitaksialne rezine z različnimi strukturami in debelinami, prilagojenimi zahtevam strank, ki pokrivajo širok spekter aplikacij, kot so VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G bazne postaje itd. Izdelki XKH so izdelani z uporabo napredne opreme MOCVD, ki zagotavlja visoko zmogljivost in zanesljivost. Kar zadeva logistiko, imamo široko paleto mednarodnih izvornih kanalov, lahko prilagodljivo obravnavamo število naročil in nudimo storitve z dodano vrednostjo, kot so redčenje, segmentacija itd. Učinkoviti procesi dostave zagotavljajo pravočasno dostavo in izpolnjujejo zahteve strank za kakovost in dobavni roki. Po prihodu lahko stranke dobijo celovito tehnično podporo in poprodajne storitve, da zagotovijo nemoteno uporabo izdelka.