safirni ingot 3 palca 4 palca 6 palca monokristala CZ KY metoda Prilagodljiva

Izjemna čistost in kakovost:
Safirni ingoti so izdelani iz aluminijevega oksida visoke čistosti (99,999 %), kar zagotavlja brezhibno monokristalno strukturo. Napredne tehnike rasti kristalov, ki se uporabljajo med proizvodnjo, zmanjšajo napake, kot so pore, ostružki in dvojčki, kar ima za posledico ingote z minimalnimi dislokacijami in izjemno zmogljivostjo.

Raznolikost velikosti in prilagajanje:
Na voljo v standardnih premerih 3 palcev, 4 palcev in 6 palcev, so ti ingoti popolnoma prilagodljivi, da izpolnjujejo edinstvene zahteve posebnih aplikacij. Prilagoditve lahko vključujejo premer, dolžino, orientacijo in površinsko obdelavo, zaradi česar so primerni za široko paleto industrij.

Široka optična preglednost:
Safir ima odlično prosojnost v širokem razponu valovnih dolžin, od ultravijoličnega (150 nm) do srednje infrardečega (5500 nm). Zaradi tega je idealen za optične aplikacije, ki zahtevajo visoko jasnost in minimalno absorpcijo.

Izjemne mehanske lastnosti:
Z 9. mestom na Mohsovi lestvici trdote je safir po trdoti takoj za diamantom. To zagotavlja izjemno odpornost na praske in vzdržljivost, kar zagotavlja dolgo življenjsko dobo v težkih okoljih.

Toplotna in kemična stabilnost:
Safirni ingoti lahko prenesejo ekstremne temperature do 2000 °C, ne da bi pri tem ogrozili svojo celovitost. Prav tako so kemično inertni in nudijo odlično odpornost na kisline, alkalije in druge jedke snovi.

Proizvodni procesi
Metoda Czochralski (CZ):

Ta tehnika vključuje poteg posameznega kristala iz staljene kopeli aluminijevega oksida z uporabo natančnih termičnih in rotacijskih kontrol.
Proizvaja visokokakovostne ingote z nizko gostoto napak, idealne za uporabo v polprevodnikih in optiki.
Metoda Kyropoulos (KY):

S tem postopkom s počasnim ohlajanjem staljenega aluminijevega oksida rastejo veliki, visokokakovostni safirni kristali.
Safirni ingoti, pridelani v KY, so še posebej cenjeni zaradi nizke napetosti in enotnih lastnosti, zaradi česar so idealni za visoko zmogljive aplikacije.
Obe metodi sta prilagojeni za doseganje ingotov z vrhunsko čistostjo, minimalno gostoto dislokacij (EPD ≤ 1000/cm²) in doslednimi fizikalnimi lastnostmi.